文章摘要:基于AlN、GaN等Ⅲ族氮化物材料的第三代半导体照明器件应用前景广阔，但常用的蓝宝石衬底散热差且与AlN和GaN存在较大的晶格失配和热失配，这限制了其推广应用。石墨烯是仅由碳原子组成的二维层状材料，层与层之间以范德华力结合，将其作为缓冲层能够缓解蓝宝石与Ⅲ族氮化物的失配问题。蓝宝石基石墨烯缓冲层上外延AlN等氮化物后，利用石墨烯缓解蓝宝石衬底与AlN等Ⅲ族氮化物晶格失配较大的问题，有利于大功率发光二极管的制备。但石墨烯在绝缘衬底的生长是一个难题。本文在蓝宝石衬底上镀金属镍层，利用镍辅助实现蓝宝石衬底石墨烯的生长，为利用石墨烯实现半导体发光二极管大功率工作打下基础。

文章关键词:

论文分类号:TN312.8

文章来源：《世界有色金属》 网址: http://www.sjysjs.cn/qikandaodu/2021/1021/1264.html